三星電子今天宣布，已經量產業內最先進的8Gb(1GB) DDR4內存顆粒、32GB DDR4 記憶體，均採用了其最新的20n工藝。
新顆粒與內存仍是面向企業服務器的，RDIMM類型，已於本月初投產。額定頻率為2400MHz，相比於DDR3-1866性能可提升大約29％，而電壓維持在標準的1.2V。
三星表示，借助3D TSV矽穿孔技術，新顆粒可以製造單條128GB的超大容量條子。
如此一來，三星的20nm DRAM工藝也算是全面普及了，還有用於台式機的20nm 4Gb DDR3、給移動設備的20nm 6Gb LPDDR3。
雖然三星聲稱記憶體在2015年也不會降價，但說的主要是DDR3，DDR4在歷史的大趨勢下必然會慢慢平民化，預計到2016年就差不多了。三星作為全球最大DRAM 記憶體廠商，20nm新工藝逐漸普及，還在興建超大的新工廠，DDR4真的是越來越近了。
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